2Д222ЕС диодная матрица

Описание

Диодная сборка 2Д222ЕС состоит из двух кремниевых эпитаксиально-планарных диодов с барьером Шотки и общим катодом.
Предназначены для применения в низковольтных источниках вторичного электропитания на частотах 10,..200 кГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
Тип сборки приводится на корпусе.

Параметры и характеристики

Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса, радиус изгиба не менее 1,5 мм.
Допускается обрезка выводов не ближе 3 мм от корпуса.

Пайка выводов рекомендуется при температуре +250°С не более 3 с.

Масса сборки не более 6 г.

• Unp - Постоянное прямое напряжение
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение
• Inp max - Максимальный прямой ток
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток
• Ioбp - Постоянный обратный ток
• fmax - Максимальная рабочая частота диода
• Cд - Общая ёмкость
• fд - Рабочая частота диода
• Тд - Рабочая температура

Iпр макс, А	3
Uобр и макс, В	40
Iпр и макс, А	50
Uпр макс, В	0.65
fд макс, кГц	200
Ioбp макс, мкА	не более 2