2Д803АС9-Н диодная матрица

Описание диода 2Д803АС9Н

Диод 2Д803АС9Н - Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные наборы двух диодов.
2Д803АС-9 предназначены для использования в быстродействующих импульсных схемах радиотехнических и электронных устройств.

Маркируются буквами НС.

Параметры и характеристики диода 2Д803АС9Н:

Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
Inp max - Максимальный прямой ток: 200 мА;
Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 1500 мА;
Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 0,2 мА;
Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1 мкА при Uoбp 50 В;
Сд - Общая емкость: 4 пФ


Варианты поиска:
2Д803АС9Н диод, диод 2Д803АС9Н, купить 2Д803АС9Н по низкой цене, 2Д803АС9Н цена, описание 2Д803АС9Н, 2Д803АС9Н

Iпр макс, А	200
Uобр и макс, В	70
Iпр и макс, А	1500
Uпр макс, В	1.1
Сд, пФ	4
Ioбp макс, мкА	не более 1
Uoбp макс, В	50