Транзистор КТ352Б

Описание транзистора КТ352Б

Транзистор КТ352Б - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.
Транзистор КТ352Бслужит для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов.
Применяется КТ352Б в различных областях приборостроения, радиоэлектронной промышленности, электротехнической аппаратуре.

Параметры и характеристики транзистора КТ352Б:

КТ352Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
На корпусе наносится условная маркировка двумя цветными точками:
   КТ352А - зеленой и розовой,
   КТ352Б - зеленой и желтой.
Масса транзистора не более 0,3 г.

Основные технические характеристики транзистора КТ352Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА;
• iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 70... 300;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3 Ом



Варианты поиска:
КТ352Б транзистор, транзистор КТ352Б, купить КТ352Б по низкой цене, КТ352Б цена, описание КТ352Б, КТ352Б

Структура	p-n-p
Uкбо макс, В	20
Uкэо макс, В	15
Iк макс, А	0.05
h21э	70...300
Рк макс, Вт	0.3
fгр,МГц	200
Тип транзистора	Биполярный
Материал	Кремний