Транзистор КП780А

Описание

Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором,
обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом.
Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом,
в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным испульсным управлением,
блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.

Параметры и характеристики

Диапазон рабочих температур корпуса от - 55 до + 125°C
Обозначение технических условий: АДБК 432140.826 ТУ
Корпусное исполнение: пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220) пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK)

• Unp макс, В- Постоянное прямое напряжение
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение
• Uобр и п макс, В - Максимально допустимое импульсное повторяющееся обратное напряжение
• Inp max - Максимальный прямой ток
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток
• Ioбp - Постоянный обратный ток
• Iпр ср макс, А - Максимально допустимый средний прямой ток
• Cд,пф - Общая ёмкость
• fд - Рабочая частота диода
• T, °C - Температура окружающей среды
• tвoc обр, мкс - Время обратного восстановления

Корпус	КТ-28
Uси, В	500
Iси макс, А	8
Pси макс, Вт	3
S	1.5
Uзи макс,В	20
Тип транзистора	Эпитаксиально-планарный
Материал	Кремний
Tпер макс,°C	150
T, °C	-55...+125