Транзистор 2Т3164А

Описание

Кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п-р высокочастотные транзисторы 2T3164A и структуры
2Т3164А-5 предназначены для применения в усилительных и импульсных устройствах радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (2Т3164А) и в бескорпусном исполнении на пластине,
кристаллы неразделенные (2Т3164А-5).
Маркировка транзисторов в соответствии с техническими условиями аА0.339.662 ТУ.
Знаком ОСМ обозначаются изделия повышенной надежности.
Размеры кристалла 0,5 х 0,5 мм.

Параметры и характеристики

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток

Структура	p-n-p
Uкбо макс, В	20
Iк макс, А	30
h21э	30...120
Рк макс, Вт	0.25
fгр,МГц	800
Тип транзистора	Эпитаксиально-планарный
Материал	Кремний
Uкэr макс, В	15
Uэбо max, В	4