3А119АГ-6 диод

Описание

Диоды 3А119АГ-6 арсенидогаллиевые, планарно-эпитаксиальные, с барьером Шоттки, смесительные. 
Предназначены для применения в преобразователях частоты сантиметрового диапазона длин волн в составе гибридных интегральных микросхем и микросборок, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления. 
Выпускаются в бескорпусном исполнении с жесткими выводами на кристаллодержателе. 
Товарный знак, тип диода, и дата изготовления наносятся на ярлык, вкладываемый в групповую тару. 

Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации: 
диод СВЧ 3А119А-6, аА0.339.055 ТУ.

Параметры и характеристики

Масса диода не более 0,01г.

• Iпр макс, А - Максимальный прямой ток<br>
• Uобр и макс, В - Максимальное импульсное обратное напряжение<br>
• Iпр и макс, А - Максимальный импульсный прямой ток<br>
• Uпр макс, В - Постоянное прямое напряжение<br>
• fд макс, кГц - Максимальная рабочая частота<br>
• Сд, пФ - Общая ёмкость<br>
• Ioбp, мкА - Постоянный обратный ток<br>
• Uoбp макс, В - Максимальное постоянное обратное напряжение<br>
• tвoc обр, мкс - Время обратного восстановления<br>
• Ioбp и макс, мА - Импульсный обратный ток<br>
• Pрас, мВт - Непрерывная рассеиваемая мощность<br>
• Мин наработка, ч - Минимальная наработка<br>
• Тип диода - Тип СВЧ диода<br>
• Pрас и, Вт - Импульсная рассеиваемая мощность<br>

Материал	Арсенид галлия
T, °C	-60...+125
Lпрб макс, дБ	6
r вых, Ом	200...500
Pрас, мВт	25
Мин наработка, ч	25000
Lд, нГн	1.2...1.8
Тип диода	Смесительный
Pрас и, Вт	0.1
Cд, пФ	0.14...0.35