КД509А диод

Описание диода КД509А

Диод КД509А применяется в различных областях приборостроения, радиоэлектронной промышленности, cлужит для коммутации высокочастотных сигналов.

Характеристики диода КД509А

Диоды КД509А кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Маркируются условным цветным кодом: одной широкой и одной узкой полосами синего цвета со стороны катодного вывода.
Масса диода не более 0,25 г.

Основные технические характеристики диода КД509А:
• uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;
• unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при inp 0,1 А;
• ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при uoбp 50 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс;
• Сд - Общая емкость: 4 пФ

Условное обозначение диодов:

Обозначения состоят из четырех элементов:
Первый элемент- буква или цифра - обозначает материал:
1 или Г - германий или его соединения,
2 или К - кремний или его соединения,
3 или А - арсенид галлия или другие соединения галлия.
Второй элемент - буква - указывающая подкласс прибора:
Д - диоды, Ц - выпрямительные столбы и блоки,
А - сверхвысокочастотные диоды,
В - варикапы,
И - диоды туннельные и обращенные,
С - стабилитроны и стабисторы,
Л - излучатели.
Третий элемент - число - указывающее назначение и качественные свойства прибора, а также порядковый номер разработки.


Варианты поиска:
КД509А диод, диод КД509А, купить диод КД509А по низкой цене, КД509А

Uобр и макс, В	70
Iпр и макс, А	1.5
Uпр макс, В	1.5
Сд, пФ	4
Ioбp макс, мкА	не более 100
Uoбp макс, В	50
Iпр ср макс, А	0.05
T, °C	-60...+125
Тип диода	Импульсный