КД906Б диодная матрица

Описание

Диодные матрицы КД906Б состоят из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов.
Предназначены для применения в качестве выпрямительного моста (матрицы 2Д906А-2Д906В, КД906А-КД906В - при включении в схему выводами: 3, 4 - вход, 1, 2 - выход) или резервированного диодного элемента (матрицы 2Д906А-2Д906В, КД906А-КД906В - при включении в схему любой из следующих пар выводов: 1 и 2, 1 и 3, 1 и 4, 3 и 2, 4 и 2, а также матрицы КД906Г-КД906Е - при включении в схему выводами 1, 2 и 3, 4.)
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Матрицы:
   2Д906А, 2Д906Б маркируются одной красной точкой,
   2Д906В маркируются двумя красными точками.
Тип матрицы КД906А-КД906Е приводится на корпусе.
У четвертого вывода матриц 2Д906А-2Д906В наносится белая полоса и рельефный знак, у матриц КД906А-КД906Е - белая полоса.

Параметры и характеристики

Масса матрицы не более 0,6 г.

Основные технические характеристики диода КД906А:
• uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 75 В;
• inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 100 кГц;
• unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при inp 50 мА;
• ioбp - Постоянный обратный ток: не более 2 мкА при uoбp 75 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 1 мкс;
• Сд - Общая емкость: 20 пФ

Условное обозначение диодов:

Обозначения состоят из четырех элементов:
Первый элемент- буква или цифра - обозначает материал:
1 или Г - германий или его соединения,
2 или К - кремний или его соединения,
3 или А - арсенид галлия или другие соединения галлия.
Второй элемент - буква - указывающая подкласс прибора:
Д - диоды, Ц - выпрямительные столбы и блоки,
А - сверхвысокочастотные диоды,
В - варикапы,
И - диоды туннельные и обращенные,
С - стабилитроны и стабисторы,
Л - излучатели.
Третий элемент - число - указывающее назначение и качественные свойства прибора, а также порядковый номер разработки.


Варианты поиска:
КД906А диод, диод КД906А, купить диод КД906А по низкой цене, КД906А

Iпр макс, А	0.1
Uпр макс, В	1
fд макс, кГц	100
Сд, пФ	20
Ioбp макс, мкА	не более 2
Uoбp макс, В	50
tвoc обр, мкс	1