КД643ВС диодная сборка

Описание

КД643ВС - набор мощных кремниевых эпитаксиально-планарных диодов с барьером Шоттки.
Предназначены для использования в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Параметры и характеристики

Зарубежные прототипы
• Прототип КД643АС, КД643АС91 – MBR(B)2045
• Прототип КД643БС, КД643БС91 – MBR(B)2060
• Прототип КД643ВС, КД643ВС91 – MBR(B)20100

Особенности
• низкое прямое падение напряжения
• высокое быстродействие
• отсутствие заряда обратного восстановления
• диапазон рабочих температур от - 40 до + 125°C

Обозначение технических условий АДБК 432120.881 ТУ

• Unp макс, В- Постоянное прямое напряжение
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение
• Uобр и п макс, В - Максимально допустимое импульсное повторяющееся обратное напряжение
• Inp max - Максимальный прямой ток
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток
• Ioбp - Постоянный обратный ток
• Iпр ср макс, А - Максимально допустимый средний прямой ток
• Cд,пф - Общая ёмкость
• fд - Рабочая частота диода
• T, °C - Температура окружающей среды
• tвoc обр, мкс - Время обратного восстановления

Iпр и макс, А	150
Uпр макс, В	0.85
Сд, пФ	900
Ioбp макс, мкА	не более 100
Uoбp макс, В	100
T, °C	-45...+125