2Д803АС9 диодная матрица

Описание диода 2Д803АС-9

Диод 2Д803АС-9 применяется в различных областях приборостроения, радиоэлектронной промышленности, cлужит для коммутации высокочастотных сигналов.

Характеристики диода 2Д803АС-9

2Д803АС-9
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные наборы двух диодов.
2Д803АС-9 предназначены для использования в быстродействующих импульсных схемах радиотехнических и электронных устройств.
Маркируются буквами НС.

Основные технические характеристики диода 2Д803АС-9:
• uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• inp max - Максимальный прямой ток: 200 мА;
• inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 1500 мА;
• unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при inp 0,2 мА;
• ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1 мкА при uoбp 50 В;
• Сд - Общая емкость: 4 пФ

Условное обозначение диодов:

Обозначения состоят из четырех элементов:
Первый элемент- буква или цифра - обозначает материал:
1 или Г - германий или его соединения,
2 или К - кремний или его соединения,
3 или А - арсенид галлия или другие соединения галлия.
Второй элемент - буква - указывающая подкласс прибора:
Д - диоды, Ц - выпрямительные столбы и блоки,
А - сверхвысокочастотные диоды,
В - варикапы,
И - диоды туннельные и обращенные,
С - стабилитроны и стабисторы,
Л - излучатели.
Третий элемент - число - указывающее назначение и качественные свойства прибора, а также порядковый номер разработки.


Варианты поиска:
2Д803АС-9 диод, диод 2Д803АС-9, купить диод 2Д803АС-9 по низкой цене, 2Д803АС-9

Материал	Кремний
Iпр макс, А	200
Uобр и макс, В	70
Iпр и макс, А	1500
Uпр макс, В	1.1
Сд, пФ	4
Ioбp макс, мкА	не более 1
Uoбp макс, В	50